شماره ركورد كنفرانس :
815
عنوان مقاله :
بررسي خواص الكترواپتيكي تركيب GaAsO4
پديدآورندگان :
باعدي جواد نويسنده , ابراهيمي زهرا نويسنده مركز آموزشي درماني ايزدي-دانشگاه علوم پزشكي قم , بروغني آتنا نويسنده دانشگاه تربيت معلم سبزوار,
كليدواژه :
تقريب شيب تعميم يافته , GGA , چگالي كل حالتها , چگالي كل حالتها (Dos)
عنوان كنفرانس :
شانزدهمين كفنراسن اپتيك و فوتونيك ايران و دومين كنفرانس مهندسي فوتونيك ايران
چكيده فارسي :
لاصه مقاله:
درا ين مقاله خواص الكترواپتيكي تركيب GaAsO ، از قبيل تابع چگالي حالتها، تابع دي الكتريك، ضريب شكست، ضريب خاموشي و طيف اتلاف انرژي الكترون مورد بررسي قرار گرفته است. محاسبات به روش پتانسيل كامل امواج تخت تقويت شده خط (FP-LAPW) در چارچوب نظريه تابعي چگالي (DFT) با تقريب شيب تعميم يافته (GGA) انجام شده است. گاف الكتريكي محاسبه شده در اين مقاله برابر 3/76 الكترون ولت و گاف اپتيكي برابر با 2/5 الكترون ولت است.
كلمات كليدي:
تقريب شيب تعميم يافته (GGA) ،
چگالي كل حالتها (Dos).
شماره مدرك كنفرانس :
1845181
