شماره ركورد كنفرانس :
1030
عنوان مقاله :
شبيه سازي سه بعدي و بهبود رسانايي خروجي در ترانزيستورهاي سيليكون روي عايق (SOI) با اتصال بدنه لوزي شكل و طول كانال 45 نانومتر
پديدآورندگان :
فرج زاده آذر نويسنده دانشگاه آزاد اسلامي نجف آباد,دانشكده برق , دقيقي آرش نويسنده دانشكده فني، دانشگاه شهركرد
كليدواژه :
مقاومت بدنه , اتصال بدنه , شبيه سازي سه بعدي , رساناي خروجي , ماسفت SOI
عنوان كنفرانس :
مجموعه مقالات دومين كنفرانس بين المللي برق
چكيده فارسي :
اين مقاله براي اولين بار بهبود رسانايي خروجي ترانزيستورهاي Partially Depleted SOI MOSFET با مقياس 45 نانوماتر با استفاده از اتصال بدنه لوزي شكل را بيان مي كند. نتايج شبيه سازي سه بعدي براي ماسفت هاي اتصال بدنه به سورس با اتصال بدنه لوزي شكل و اتصال بدنه مرسوم بيان گرديده است. ترانزيستور داراي اتصال بدنه مرسوم شامل يك ناحيه مستطيل شكل داراي كاشت ناخالصي از نوع +p در سورس ترانزيستور از نوع N مي باشد. در ترانزيستور با اتصال بدنه لوزي شكل، دو ناحيه با كاشت يوني +p به شكل لوزي استفاده شده است. شبيه سازي ها نشان مي دهد كه در ترانزيستور اتصال بدنه لوزي شكل، اثرات بدنه شناور خنثي شده است در حاليكه جريان درين (Ids) در ناحيه خطي كار ترانزيستور افزايش پيدا كرده است. بعلاوه، شبيه سازي سه بعدي سيگنال كوچك ترانزيستور، بيانگر كاهش رسانايي خروجي (gds) در ترانزيستورهاي با بدنه لوزي شكل به ميزان 24% مي باشد. فركانس گذار رسانايي خروجي مربوط به مقاومت بدنه در ترانزيستور با اتصال بدنه لوزي شكل به 2/5 برابر مقدار آن در ترانزيستور با اتصال بدنه مرسوم افزايش پيدا كرده است. اين افزايش، امكان استفاده از ماسفت ها با اتصال بدنه لوزي شكل در فركانس هاي بالاتر با بهره ذاتي بيشتر را فراهم مي كند.
شماره مدرك كنفرانس :
1913295
