تأثير تهي جاهاي شبكه بر خواص گرمايي نانولوله ي سيليسيم ژرمانيم

The effect of lattice vacancy on the melting of silicon-germanium nanotube

هدف از این پژوهشی بررسی تاثیر تهی جای شبكه بر ویژگی های گرمایی ماده می باشند. در این پژوهش با استفاده از روش شبیه سازی دینامیك مولكولی به بررسی انرژی بستگی، دمای ذوب و پایداری حرارتی نانولوله ی سیلیسیم – ژرمانیم (كه شامل 90 درصد اتم سیلیسیم و 10 درصد اتم ژرمانیم می باشد) در حضور درصدهای مختلفی از نقص نقطه ای، با استفاده از پتانسیل بین اتمی ترسف در هنگرد NPT می پردازیم: نتایج حاكی از این است كه وجود نقص در نانو لوله ی سیلیسیم – ژرمانیم ناپایدارتر می گردد.

In this study, we investigated the effect of lattice vacancy on thermal characteristics of material. In this research solid-liquid phase transition, the cohesive energy and the thermal stability of Si-10%Ge nanotubes was investigated in the presence of lattice vacancy by Molecular Dynamic (MD) simulation technique. The behavior of different percentages of lattice vacancy in nanotubes has been simulated with Tersoff interatomic potential in isothermal-isobaric (NPT) ensemble. The results represent that melting temperature of nanotube decrease with increase lattice vacancy, but cohesive energy increased. In the other words increasing the lattice vacancy in the nanotube decreases the stability of the nanotube.