شماره ركورد كنفرانس :
958
عنوان مقاله :
بررسي اثر ضخامت لايه هاي جذب كننده و اميتر در كارايي سلول خورشيدي سيليكوني ناهمگون
عنوان به زبان ديگر :
The effect of the absorber and emitter layer thickness on the hetero-junction silicon solar cell performance
پديدآورندگان :
معماريان نفيسه نويسنده , مين باشي مهران نويسنده
كليدواژه :
ضخامت لايه هاي جذب كننده و اميتر , سلول هاي خورشيدي , سلول هاي خورشيدي سيليكوني ناهمگون , فيزيك
عنوان كنفرانس :
همايش ملي فيزيك و كاربردهاي آن
چكيده فارسي :
در این مقاله پارامترهای موثر در افزایش بازدهی سلول های خورشیدی سیلیكونی ناهمگون بررسی شده است. با استفاده از نرم افزار شبیه سازی AMPS-ID مدل های مختلفی از سلول خورشیدی سیلیكونی ناهمگون شبیه سازی شده و پارامترهای كاركردی سلول برحسب تغییرات ضخامت دو لایه امیتر و جذب كننده، مطالعه شده است. چگالی جریان بر حسب ولتاژ برای كمترین، بیشترین و بهینه ترین ضخامت ویفر سیلیكون بلوری ترسیم شده است. نتایج با دست آماده نشان می دهند. كه با افزایش را ضخامت لایه جذب كننده تا ۵۰ میكرومتر بازده افزایش می یابد. در لایه امیتر با افزایش را ضخامت ، بازده كاهش را پیدا میكند. بهترین نتایج برای لایه هایی جذب كننده و امیتر به ازای ضخامت های به ترتیب 100 میكرومتر و 10 نانومتر، بدست می آید. در این حالت بازده سلول مورد نظر برابر 07/24 درصد می باشد.
چكيده لاتين :
In this paper the effect of different parameters on the efficiency of heterojunction silicon Solar cells have been Studied. By using AMPS-1D simulation software, various models for heterojunction silicon Solar cells have been Simulated and cell functional properties have been studied by changing the thickness of the absorber and emitter layers. Current density versus voltage for the lowest, highest and optimum thickness of crystalline Silicon wafer is plotted. The results have shown that by increasing the absorber layer thickness up to 50 micrometers, the efficiency would increase. For the emitter layer, when thickness increases, efficiency decreases. The best results achieved for absorbing and emitter layers thickness of 100 micrometers and 10 nanometers, respectively. In this case the cell efficiency is 24.07 percent.
شماره مدرك كنفرانس :
4476040