بررسي اتر غلظت در نيمه رساناي نانو ساختار كبالت سلنيد در حالت نانو ذرات معلق درون محلول و لايه هاي نازك

Investigation of the Concentration properties in Cobalt Selenide Nanostructured semiconductor as dispersed nanoparticle in solution and thin films

در این مقاله اثر غلظت نانو ذرات معلق درون محلول كبالت سلنید و لایه های نازك آن بررسی شده است این نانو مواد با روش رسوب گیری از محلول شیمیایی ساخته شده اند لایه های با پراش اشعه X، اسپكتروفتومتری ناحیه مرئی فرابنفش، میكروسكوپ الكترونی رویشی توصیف شده اند. داده های آزمایشگاهی نشان می دهد كه غلظت و زمان می توانند روی گاف نواری اپتیكی مورفولوژی سطح و شكل تاثیر می گذارد و غلظت یك نقش اساسی در آرایش لایه ها و كنترل گاف نوار اپتیكی دارد.

In this article the Concentration effect of the dispersed nanoparticle in solution and nanostructure thin films have been investigated. These nanomaterials have been prepared with chemical solution deposition method. We present a simple solution processed synthesis route for CoSe nanostructure thin films using chemical bath deposition method. The films were characterized by X-ray diffraction (XRD), UV-visible spectroscopy, scanning electron microscopy (SEM). We investigate the concentration as well as deposition time role that affect evolution of the nanoparticle shape and optical band gap in CoSe nanoparticle arrays. The data showed that the concentration and deposition time can affect the optical band gap, surface morphology and shape but the concentration plays a crucial role in the configuration and optical band gap controlling