بررسي اثر بازپخت بر روي نيمه رساناي نانو ذرات كبالت سلنيد در حالت لايه هاي نازك در غلظت هاي متفاوت

The effect of annealing on the semiconductor nanoparticles of different concentrations of cobalt selenide thin layer

در اين مقاله اثر بازپخت در لايه های نازك كبالت سلنيد در غلظت های متفاوت بررسی شده است اين نانو مواد با روش رسوب گيرری از محلول شیمیایی ساخته شده اند لايه ها با پراش اشعه X ، اسپكترو فتومتری ناحيه مرئی فرابنفش ، ميكروسكوپ الكترونی رویشی توصيف شده اند .داده های آزمايشگاهی نشان می دهد كه غلظت و زمان می توانند روی گاف نواری اپتيكی مورفولوژی سطح و شكل تاثير می گذارد و با بررسی نیودارهای گاف انرژی ديده شد كه دما يكری از عوامل موثردر رشد و خواص نانو ذرات است و با افزايش دما گاف انرژی نواری كاهش می يابد.

In this paper the effect of annealing in a thin layer of cobalt selenide has been studied in different concentrations These anomaterials have been prepared with chemical solution deposition method. We present a simple solution processed synthesis route for CoSe nanostructure thin films using chemical bath deposition method. The films were characterized by X-ray diffraction (XRD), UV-visible spectroscopy, , scanning electron microscopy (SEM). We investigate the concentration as well as deposition time role that affect evolution of the nanoparticle shape and optical band gap in CoSe nanoparticle arrays. Check with charts the energy gap was found that temperature it is one of the factors influencing the growth and properties of nanoparticles band energy gap decreases with increasing temperature