رشد سيليكان متخلخل در تخلخل هاي مختلف و بررسي خواص الكتريكي آن

Growth of porous silicon at different porosities and study of its electrical properties

در اين مقاله، رشد سيليكان متخلخل از ويفر سيليكان نوع P تحت چگالی جريان های مختلف mA/cm2 و25،20 ،30 در زمان خوردگی ثابت 10 دقیقه ای و محلول الكتروليت يكسان در فرآيند آندی سازی رشد داده شدند. خواص الكتريكی نمونه ها توسط منحنی I-V تحت تاريكی، لامپ فرابنفش و تابش لامپ هالوژن مطالعه شد. اندازه گيری های جريان بر حسب ولتاژ نمونه ها رفتار ديودی نشان داد كه با افزايش ميزان تخلخل جريان كاهش پيدا می كند.

In this paper, porous silicon growth was grown from p-type silicon under different current densities of 20 , 25 , and 30 mA/cm2 at constant etching time of10 min and similar electrolyte concentration at anodizing process. Electrical properties of samples were studied by I-V curve under dark, UV lamp, and Halogen lamp radiation. Current versus voltage measurements ofsamples showed diode behavior that current decrease with increasing porosity value