مطالعه جذب سطحي گاز آنيلين توسط نانوكيج Zn12O12 با استفاده از نظريه DFD

حساسیت الكتریكی نانوكیج ZnO نسبت به مولكول آنیلین N7H6C با استفاده از نظریه تابعی چگالی DFT در سطح B3LYP/6-31G(d) مورد آزمایش قرار گرفت و مشخص شد كه انرژی جذب Ead آنیلین بر روی نانوكیج خالص در حدود 1.92Kcal.mol-1- است هنگامی كه نانوكیج با اتم های N،BوS دوپه می شود انرزی جذب به طور كلی كاهش می یابد اما هنگامی كه اتم Zn نانوكیج با اتم N دوپه می شود انرزی جذب در حدود Kcal.mol-1 -10.02 است پس به نظر می رسد كه نانوكیج ناخالص ZnO(Zn/N) ، جاذب خوبی برای آنیلین است هنگامی كه اتم Zn نانوكیج با اتم های N.BوSدوپه می شود Eg به طور قابل توجهی كاهش می یابد بهترین نتیجه درباره ZnO(Zn/S) بدست آمد كه انرژی گپ آن در حدود 1.67 eV است به نظر می رسد كه نانوكیج ZnO پس از دوپه شدن اتم Znبا اتم های N،BوSنیمه رسانای مناسبی است نانوكیج ZnO یك جاذب مناسب برای آنیلین است و می تواند در فرایند جداسازی آنیلین مورد استفاده قرار بگیرد ZnO خالص در حضور آنیلین یك سیگنال الكتریكی است كه به طور مستقیم تولید می شود بنابراین می تواند به طور بالقوه برای حسگرهای آنیلین استفاده شود