طرحي و مناسبات وزني لايه ي فعال بود ليزري Aly Ga1-y As / Alx Ga1-x As براي عملكرد در طول موج 780 نانو متر

در این مقاله لایه ی فعال دیود لیزری Aly Ga1-y As / Alx Ga1-x As برای عملكرد در طول موج 78/. میكرومتر (780نانومتر) طراحی می شود. چگونگی انتخاب تراكم Al در لایه ی فعال (y) و لایه های محبوس كننده (x) بررسی می شود و دمای رشد، كاهش دمای لازم برای ضخامت مناسب تعیین شده و وزن مواد لازم (Ga As و Al)، جهت اشباع محلول رشد رونشستی فاز مایع (LPE) محاسبه می گردد.

In this paper, we design active layer of Aly Ga1-y As / Alx Ga1-x As laser diode for performance of 780 nm wavelength. We determine Al percent in active layer and calculate weight of Al and GaAs for saturation of growth solution in liquid phase epitaxy (LPE)