بررسي تأثير فاصله گيت - درين در خواص ترابردي ترانزيستور HEMT AlGaN/GaN با در نظر گرفتن تغييرات خطي پتانسيل كانال

در این مقاله عملكرد قطعه HEMT(ترانزیستور با تحرك¬پذیری بالا) و پارامترهای سیگنال كوچك در كاربردهای میكروویو و توان بالا با ارائه مدل جدید به نام مدل تقریب تدریجی پتانسیل كانال بررسی شده است، همچنین با در نظر گرفتن این مدل، اثر فاصله بین درین-گیت (LGD) بر روی مشخصه¬های ترابردی ترانزیستورهای اثر میدان AlGaN/GaN HEMT بررسی شده است. نتایج بدست آمده از محاسبات نشان دهنده كاركرد خوب ترانزیستورها برای LGD بزرگ می¬باشد