تاثير تراكم آلايش نوع n بر بازدهي كوانتومي داخلي و مشخصه جريان - ولتاژ سلولهاي خورشيدي p/n با نيمرساناي نيتروژن دار رقيق GaInNAs

report iconخلاصه مقاله: در اين مقاله به بررسي اثر تراكم الايش در لايه نوع n بربازدهي كوانتومي داخلي و مشخصه جريان - ولتاژ سلول خورشيدي همگن با ساختار p/n با مواد نيمرساناي نيتروژن دار رقيق GaInNAs كه به روش MOVPE رشد داده شده است پرداخته ايم. مدلسازي نظري ما مبتني بر محاسبه عرض ناحيه تهي به كمك داده هاي تجربي بازدهي كوانتومي داخلي و مشخصه I-V حاكي از آن است كه با كاهش تراكم آلايش در اين لايه از 17 10 به cm3- 10 15×5 پهناي ناحيه تهي در حدود 0/5 ميكرون افزايش مي يابد. همچنين دريافتيم اين افزايش پهنا به افزايش در بازدهي كوانتومي داخلي و چگالي جريان اتصال كوتاه و نيز كاهش ولتاژ مدار باز سلول خورشيدي منجر مي شود. كلمات كليدي: