مطالعه ساختار بس لايه هاي 2 SiNx/SiO رشد يافته به روش تبخير حرارتي واكنش گر در محيط پلاسما

در اين تحقيق پس لايه هاي SiNx/SiO2 با روش تبخير حرارتي برهم كنشي متناوب سيليكون (Si) و سيليكا (SiO2) بر روي بسترهاي سيليكون تحت پلاسماي نيتروژن ساخته شدند. بررسي ساختار شيميايي نمونه ها با طيف سنجي تبديل فوريه فرو سرخ (FTIR) نشان دهنده ي وجود پيوندهاي مختلف شيمايي از نوع Si-N-O , Si-O , Si-N هستند كه مربوط به تركيبات SiNx ، SiO2 و حالتهاي فصل مشترك بين لايه هاي مجاور مي باشند. تصاوير ميكروسكوپ الكتروني نشان دهنده ظهور نانوبلورهاي سيليكون در لايه هاي فعال SiNx پس از باز پخت در دماي 1100°c است كه مي تواند ناشي از تجزيه شيميايي نيتريد سيليكون با تناسب عنصري ناكامل باشد ضخامت لايه هاي فعال SiNx تعيين كننده اندازه ميانگين نانوبلورهاي سيليكون مي باشند كه وجود لايه هاي دي الكتريك اكسيد سيليكون در مجاورت آنها باعث كنترل رشد نانوبلورها مي شود كه به واسطه باز پخت تمايل به بزرگ شدن دارند.

In this work, SiNx/SiO, multilayers are grown onto Silicon (Si) substrates by reactive and alternative evaporation of Si and SiO2 in Nitrogen plasma. Chemical structure is studied by Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) described various absorption bands corresponding to Si-O, Si-N and Si-N-O chemical bands attributed to SiNx, SiOx and interface states of adjacent layers. Transmission electron microscope (TEM) images describe the generation of Si nanocrystals due to chemical dissociation of sub-stoichiometric silicon nitride after post annealing of the samples until 1 100°C. The thickness of active SiN. layers determines the Si nanocrystals mean size which trends to enlarge due to annealing and is controlled by insolate adjacent silica barriers