شماره ركورد كنفرانس :
1730
عنوان مقاله :
يك ساختار جديد افزاره سيليكون روي عايق دولايه براي بهبود شيب زير آستانه
پديدآورندگان :
دقيقي آرش نويسنده , حسيني تشنيزي جعفر نويسنده
كليدواژه :
شيب زيراستانه , كاهش سدپتانسيل ناشي از درين , افزاره سيليكون , ناحيه فعال ترانزيستور , افزاره , سيليكون روي عايق
عنوان كنفرانس :
بيستمين كنفرانس مهندسي برق ايران
چكيده فارسي :
دراین مقاله یك ساختارجدید افزاره سیلیگون روی عایق دولایه پیشنهاد شده است دراین افزاره از دولایه عایق مدفون جهت بهبود اثرات خودگرمایی و شیب زیرآستانه استفاده شده است عایق روبین دارای ثابت دی الكتریك كوچكتر درمقایسه با عایق زیرین می باشد رسانایی حرارتی عایق زیرین بگونه ای استكه حداكثر انرژی حرارتی را به زیرلایه منتقل می كند نتایج شبیه سازی ترانزیستور 22 نانومتر سیلیكون روی عایق با بدنه خیلی نازك بیانگر كاهش نفوذ میدان الكتریكی از سمت سورس / درین به بدنه می باشد همچنین نتایج شبیه اسزی موید 3 درصد افزایش ماكزیمم درجه حرارت ناحیه فعال ترانزیستور و بهبود شیب زیراستانه قابل مقایسه با افزاره سیلیكون روی عایق می باشد از ساختارافزاره سیلیكون روی عایق پیشنهادی می توان برای كاهش اثرات خودگرمایی استفاده نمود.
شماره مدرك كنفرانس :
4460809