اثر زمان و دما بر توليد رسوب نانومتري Al - Ga-Mg در كامپوزيت Al6061/SiC به روش TLP

در این تحقیق تولید رسوب نانومتری، Al-Ga-Mg در زمینه ی كامپوزیت .Al6061/SiC%.15p موررد تور-جه است. دستیابی به این هدف، به كمك ایجاد اتصال به روش TLF مد نظر است. در این تحقیق دمای ۵۳۰C به عنوان دمای عملیات حرارتی حل سازی انتخاب و عملیات در زمانهای ۱، ۶، ۱۲ و ۲۴ ساعت انجام و امكان ایجاد رسوب Al-Mg به كمك SEM بررسی شد. دمای E| ۲C=۵۸۵ به عنوان دمای اتصال تعیین، و از لایه واسط گالیم به منظور نفوذ و تشكیل رسوب استفاده شد. اتصال در زمان ۱۲ ساعت انجام و ایجاد رسوب Al-Ga-Mg به كمك EDS تایید شد. نحوه تشكیل رسوب و ابعاد رسوب به كمك تصویر سازی SEM بررسی شد و قطر ذرات رسوبی كمتر از ۵۰۰ نانو متر به دست آمد. بررسی اثر نفوذ لایه واسط در تشكیل و رشد ذرات رسوبی به كمك اسكن خطی به روش تصویر سازی در میكروسكوپ الكترونی روبشی انجام شد. به كمك آزمون سختی سنجی و آزمون برش اثر حضور ذرات رسوبی تولید شده در خواص مكانیكی كامپوزیت بررسی شد.