Author/Authors :
Salimy, S. MHS Electronics, France , Salimy, S. Institut de recherche en Energie Electrique de Nantes Atlantique-IREENA, France , Challali, F. Institut des Matériaux Jean Rouxel- IMN, France , Challali, F. MHS Electronics, France , Goullet, A. Institut des Matériaux Jean Rouxel- IMN, France , Rhallabi, A. Institut des Matériaux Jean Rouxel- IMN, France , Toutain, S. Institut de recherche en Energie Electrique de Nantes Atlantique-IREENA, France , Besland, M-P. Institut des Matériaux Jean Rouxel- IMN, France , Averty, D. Institut de recherche en Energie Electrique de Nantes Atlantique-IREENA, France , Landesman, J-P. Institut des Matériaux Jean Rouxel- IMN, France
Abstract :
Une démarche originale pour le développement de composants passifs dans une filière industrielle consiste à effectuer un report des contraintes en performances sur les caractéristiques électriques des matériaux utilisés en couches minces. Nous présentons dans cet article la démarche adoptée à travers trois phases clés du développement d’une technologie faibles coûts de composants passifs intégrés en filière CMOS. Le développement et la caractérisation de films minces d’oxyde de titane et de tantale. L’intégration de films résistifs d’oxynitrure de titane en filière industrielle et la modélisation électrique d’inductances spirales intégrées en CMOS.
NaturalLanguageKeyword :
Composants passifs intégrés , technologie CMOS , caractérisation , modélisation
