Author/Authors :
El Hamdani, W. Ecole nationale supérieurede l Electronique et de ses Applications (ENSEA) - Laboratoire ETIS (UMR 8051), France , El Hamdani, W. École supérieure de technologie de Fès (ESTF) - Laboratoire LTTI, Maroc , El Hamdani, W. Institut national des postes et télécommunications (INPT) - Laboratoire CSE, Maroc , TEMCAMANI, F. Ecole nationale supérieurede l Electronique et de ses Applications (ENSEA) - Laboratoire ETIS (UMR 8051), France , DELACRESONNIÈRE, B. Ecole nationale supérieurede l Electronique et de ses Applications (ENSEA) - Laboratoire ETIS (UMR 8051), France , Alami, M. Institut national des postes et télécommunications (INPT) - Laboratoire CSE, Maroc , EL BEKKALI, M. École supérieure de technologie de Fès (ESTF) - Laboratoire LTTI, Maroc
Abstract :
Dans cet article, nous présentons la topologie d un filtre actif radiofréquences du second ordre. Ce filtre utilise une inductance active basée sur le principe du gyrateur. La structure de cette dernière met en oeuvre des transistors MOSFETs. Les paramètres technologiques employés sont ceux de la technologie CMOS 0,35 μm d’AMS. Nous montrons d abord l importance du choix du modèle petits signaux des transistors pour une étude théorique. Nous montrons ensuite que ce filtre peut être accordé en fréquence centrale et en bande passante. Nous montrons enfin que le principe peut être étendu aux filtres d ordre supérieur.
NaturalLanguageKeyword :
filtre actif , filtrage RF , inductance active , CMOS , circuits intégrés , systèmes reconfigurables
