Author/Authors :
BENNOUR, A. Université Sidi Mohamed Ben Abdellah - Faculté des Sciences Techniques - Laboratoire de Traitements et Transmission de l’information (LTTI), Maroc , MAZER, S. Université Sidi Mohamed Ben Abdellah - Faculté des Sciences Techniques - Laboratoire de Traitements et Transmission de l’information (LTTI), Maroc , EL BEKKALI, M. Université Sidi Mohamed Ben Abdellah - Faculté des Sciences Techniques - Laboratoire de Traitements et Transmission de l’information (LTTI), Maroc , POLLEUX, J-L. Université Paris-Est - ESYCOM (EA 2552), ESIEE, UPEM, Le Cnam, France , TEGEGNE, Z.G. Université Paris-Est - ESYCOM (EA 2552), ESIEE, UPEM, Le Cnam, France , ALGANI, C. Université Paris-Est - Le Cnam, ESYCOM (EA2552), France
Abstract :
Ce papier présente les résultats de nos travaux de recherche concernant la modélisation d’un phototransistor à hétérojonction PTH SiGe. Dans ces travaux, nous nous sommes intéressés aux phénomènes survenant lors de la fabrication du composant PTH SiGe à partir d’un transistor bipolaire à hétérojonction HBT. Notamment la distribution spatiale du flux des porteurs de charges qui modifie les caractéristiques statique, optique et dynamique du composant.
NaturalLanguageKeyword :
PTH , modèle grand signal , phototransistor SiGe , Si , fréquence de transition , distribution spatiale.
