Pulse behaviour of different types of GaAlAs light-emitting diodes

The delay-, rise-and decay-times of several types of single-heterostructure l.e.d.s differing in junction area, active-layer doping and width have been measured. A theory is presented which considers the influence of these parameters on the l.e.d. time response. A comparison of the measured and calculated pulse behaviour is given. With a proton-bombarded small area l.e.d. a transmission rate of 300 Mbit/s has been achieved. Die Verz¿¿gerungs-, Anstiegs- und Abfallzeit von verschiedenen Typen von Single-Heterostruktur LED´s wurde gemessen. Die Dioden unterschieden sich in der Fl¿¿che des pn-¿¿bergangs, der Dotierung und der Weite der aktiven Zone. Eine Theorie wird dargestellt, die den Einfluf¿¿ dieser Parameter auf das Zeitverhalten beschreibt. Das berechnete und gemessene Impulsverhalten wird verglichen. Mit einer protonenimplantierten LED wurde eine ¿¿bertragungsrate von 300 Mbit/s erzielt.