Impact de la Temperature sur la Fiabilite des Composants rf Ldmos de Puissance

L\´effet de la température sur les paramétres du composant RF LDMOS de puissance est mis en évidence. En effet, l\´accélération des mécanismes de dégradation est liée, directement ou indirectement, á la variation de la température. Les tests pratiqués sur l\´amplificateur de puissance seront de type "Life-test RF" (vieillissement accéléré sous contraintes constantes) sur une durée de 1500 heures pour quantifier les dérives des paramétres mesurés (principalement POUT et IDSS) sur le banc de fiabilité dans le temps et á différentes températures. Les composants seront caractérisés (statique, dynamique et RF) avant et aprés chaque test. Ceci nous permettra de quantifier, á partir de la modélisation, un certain nombre des grandeurs électriques (VTH, GM, RDSON, CRS...) et finalement de discriminer le mécanisme de défaillance en cause dans la dérive des performances.