Sur une formulation unifiée des mécanismes de focalisation et de défocalisation dans les transistors plans (Generalised approach of pinch-in and crowding effects in planar transistors

On montre quc I´analyse du mécanisme de focalisation dans les transistors plans, qui intervient en régime d´avalanche, conduit à une formulation générale des effets bidimensionnels induits par la résistance répartie de base, indépendamment de I´origine et du sens du courant base. Les résultats sont expérimentalement confirmés. An analysis of pinch-in effect in planar transistors for reverse base-current drive conditions is presented. This analysis leads to a general formulation of base-bias effects due to the flow of the forward as well as the reverse base current. An experimental proof is added.