DocumentCode :
998111
Title :
Implanation de sélénium dans le Ga1-xAlxAs (Implanation of selenium into Ga1-xAlxAs
Author :
Favennec, P.N. ; Henry, Leanne ; Janicki, T.
Author_Institution :
Centre National d´Etudes des Télécommunications, Department PMT, Lannion, France
Volume :
13
Issue :
12
fYear :
1977
Firstpage :
338
Lastpage :
339
Abstract :
Par implantation d´ions de sélénium, de fines couches de type n sont obtenues dans le Ga0.71 Al0.29As. Pour les faibles doses, I´activité électrique est proche de 100%, et I´effet de l´implantation est comparable pour le GaAs et le Ga<1-x> Alx As. Les mêmes resultats sont obtenus en utilisant du Si3N4 ou de l´AIN comme film de protection. By implantation of selenium ions, thin n-type layers are obtained in Ga0.71Al0.29As. For small doses, the electrical activity is close to 100%. and the effect of the implantation is comparable for GaAs and Ga1-x AlxAs. The same results are obtained when using Si3N4 or AlN as a protective film.
Keywords :
III-V semiconductors; aluminium compounds; gallium arsenide; ion implantation; selenium; Ga1-xAlxAs; Se ion implantation;
fLanguage :
English
Journal_Title :
Electronics Letters
Publisher :
iet
ISSN :
0013-5194
Type :
jour
DOI :
10.1049/el:19770248
Filename :
4249399
Link To Document :
https://search.ricest.ac.ir/dl/search/defaultta.aspx?DTC=49&DC=998111
بازگشت