• DocumentCode
    998111
  • Title

    Implanation de sélénium dans le Ga1-xAlxAs (Implanation of selenium into Ga1-xAlxAs

  • Author

    Favennec, P.N. ; Henry, Leanne ; Janicki, T.

  • Author_Institution
    Centre National d´Etudes des Télécommunications, Department PMT, Lannion, France
  • Volume
    13
  • Issue
    12
  • fYear
    1977
  • Firstpage
    338
  • Lastpage
    339
  • Abstract
    Par implantation d´ions de sélénium, de fines couches de type n sont obtenues dans le Ga0.71 Al0.29As. Pour les faibles doses, I´activité électrique est proche de 100%, et I´effet de l´implantation est comparable pour le GaAs et le Ga<1-x> Alx As. Les mêmes resultats sont obtenus en utilisant du Si3N4 ou de l´AIN comme film de protection. By implantation of selenium ions, thin n-type layers are obtained in Ga0.71Al0.29As. For small doses, the electrical activity is close to 100%. and the effect of the implantation is comparable for GaAs and Ga1-x AlxAs. The same results are obtained when using Si3N4 or AlN as a protective film.
  • Keywords
    III-V semiconductors; aluminium compounds; gallium arsenide; ion implantation; selenium; Ga1-xAlxAs; Se ion implantation;
  • fLanguage
    English
  • Journal_Title
    Electronics Letters
  • Publisher
    iet
  • ISSN
    0013-5194
  • Type

    jour

  • DOI
    10.1049/el:19770248
  • Filename
    4249399
    • Link To Document
    https://search.isc.ac/dl/search/defaultta.aspx?DTC=49&DC=998111