كنترل دما در شبكه‌هاي روي تراشه سه‌ بعدي با استفاده از مهاجرت وظيفه مبتني بر الگوريتم تبريد تدريجي

تركيب پشته‌سازي سه‌بعدي و شبكه روي تراشه كه با عنوان شبكه روي تراشه سه‌بعدي شناخته مي‌شود، مزاياي متعددي همانند كاهش تأخير انتشار، كاهش مساحت تراشه و همچنين افزايش پهناي باند را به همراه دارد. علي‌رغم مزاياي متعدد، پشته‌سازي سه‌ بعدي سبب افزايش چگالي توان در واحد سطح تراشه و متعاقب آن افزايش دماي تراشه مي‌شود كه اين مسأله چالش‌هاي جديدي را ايجاد مي‌نمايد. افزايش دما، كاهش قابليت اطمينان و تنزل كارايي را به دنبال خواهد داشت و در نتيجه طراحي الگوريتم‌هاي مديريت حرارتي براي اين نوع سيستم‌ها امري ضروري به نظر مي‌رسد. در اين مقاله براي اين منظور يك الگوريتم مبتني بر مهاجرت وظايف ارائه شده است. انتخاب مقصد مهاجرت براي وظايف روي هسته‌هاي داغ، يك مسأله NP-Complete است كه مي‌توان آن را با روش‌هاي ابتكاري حل كرد. براي اين منظور در روش پيشنهادي از الگوريتم تبريد تدريجي بهره گرفته‌ايم. در تعيين مقصد مهاجرت، علاوه بر دماي هسته‌ها، سربار ناشي از مهاجرت را نيز لحاظ كرده‌ايم. نتايج ارزيابي حاكي از آن است كه اين روش مي‌تواند تا 28 درصد، دماي بيشينه تراشه را براي محكي با بيشترين تعداد وظايف كاهش دهد، ضمن اين كه تأثير آن بر روي كارايي اندك است.