افزاره آي‌ ماس با ساختار نوار مهندسي‌شده (ناهمگون)

الگوي جديدي براي افزاره آي‌ ماس با ساختار نوار مهندسي‌شده (ناهمگون) پيشنهاد و شبيه‌سازي شده است. با توجه به اين كه ناحيه ذاتي در يك آي‌ ماس نقش كنترل‌كننده فرايند تونل‌زني نوار به نوار را ايفا مي‌كند و ساز و كار غالب توليد حامل درون اين ناحيه يونش برخوردي است، در الگوي پيشنهادي فرض شده كه ماده تشكيل‌دهنده ناحيه ذاتي از جنس (≥1≥ SixGe1-x (0/5 باشد و اندازه گاف نوار آن از اندازه گاف Si در لبه‌ سورس تا گاف 5/0Ge5/0Si در لبه گيت به طور خطي تغيير كند. اين امر سبب مي‌شود تا بزرگ‌ترين اختلاف در گاف نوار الگوي پيشنهادي برابر eV 0/32=ΔEc=ΔEG در فصل مشترك سورس و ناحيه ذاتي پديدار شود و از احتمال وقوع تونل‌زني نوار به نوار و در نتيجه از اندازه جريان خاموش بكاهد. نتايج عددي نشان مي‌دهد ولتاژ شكست براي آي‌ماس ناهمگون پيشنهادي نسبت به يك ساختار آي‌ماس همگون از جنس 5/0Ge5/0Si با ابعاد مشابه، به اندازه V 0/3 و جريان خاموش آن حدود چهار برابر كاهش يافته است