بهينه سازي رشد نانوميله هاي يكنواخت ZnO بر روي بستر سيليكون بذردار به روش رسوب حمام شيميايي

Growth Optimization of Uniform Zinc Oxide Nanorods on Seeded Silicon Substrate Using Chemical Bath Deposition

نانوميله هاي اكسيدروي به روش رسوب حمام شيميايي (CBD) روي بستر سيليكون بذردار به صورت عمودي و يكنواخت رشد داده شدند. از لايه نازك اكسيدروي كه به روش كندوپاش بر روي بستر سيليكوني لايه نشاني شد به عنوان لايه بذر استفاده شد. اثرات دما و زمان رشد بر خواص ساختاري و مورفولوژيكي نانوميله هاي اكسيد روي با استفاده از ميكروسكوپ الكتروني روبشي و پراش اشعه ايكس بررسي شد. مطالعات انجام شده نشان داد كه استفاده از لايه نازك بذر تاثير بسزايي در يكنواختي نانوميله هاي سنتز شده در روش CBD دارد. همچنين با بهينه سازي شرايط رشد مي توان نانوميله هاي عمودي و يكنواختي را بر بستر سيليكون ايجاد نمود. نانوميله هاي اكسيد روي رشد داده شده با اين روش بدون نياز به فرآيند بازپخت با خواص ساختاري مناسب در محدوده وسيعي رشد داده شدند. با توجه به سازگاري سيليكون با ادوات الكترونيكي، نانوميله هاي رشد يافته به اين روش مي توانند در صنايع اپتوالكترونيك كاربرد زيادي داشته باشند.

Vertical and uniform zinc oxide (ZnO) nanorods were grown on seeded silicon substrate using chemical bath deposition (CBD) technique. A ZnO thin film was sputtered on Si substrate to be used as a seed layer. The effects of growth temperature and time on morphology and structural properties of ZnO nanorods were investigated using scanning electron microscopy (SEM) and X-ray diffractometry (XRD). The results showed that ZnO seed layer acts an important role for uniformity of synthesized nanorods. Furthermore, uniform and vertical nanorods can be grown on silicon substrates by optimization of growth parameters. The ZnO nanorods which were grown using this technique can show improved structural properties without post-deposition thermal treatments. Due to the compatibility of silicon with electronic devices, ZnO nanostructures based on seeded silicon can be widely used in optoelectronic industries.