عنوان مقاله :
تاثير گيت دوم بر عملكرد فركانس بالاي ترانزيستور با تحرك الكتروني بالا algan/gan
عنوان به زبان ديگر :
The Impact of the Second Gate on High Frequency Performance of AlGaN/GaN HEMT
پديد آورندگان :
جلالي، زينب دانشگاه آزاد اسلامي واحد خوي - گروه مهندسي برق , حسيني، رضا دانشگاه آزاد اسلامي واحد خوي - گروه مهندسي برق
كليدواژه :
ترانزيستور با تحرك الكتروني بالا , اثرات كانال كوتاه , خازن گيت و ترا رسانايي , فركانس قطع بالا
چكيده فارسي :
ترانزيستورهاي با تحرك الكتروني بالا (hemt) افزاره هاي الكترونيكي مهمي براي ساختارهاي سرعت بالا به شمار مي روند. در اين مقاله، به بررسي مشخصه هاي الكتريكي ساختار algan/gan hemt پرداخته شده و ميزان تاثير گيت دوم براثرات كانال كوتاه و عملكرد فركانس بالاي افزاره مورد تحليل و بررسي قرار گرفته است. تمامي شبيه سازي ها توسط نرم افزار دو بعدي سيلواكو انجام گرفته است. مقدار ولتاژ آستانه، جريان حالت روشن، حالت خاموش و شيب زير آستانه بررسي شد. مشخص گرديد با افزايش تعداد گيت اثرات كانال كوتاه به دليل افزايش كنترل گيت بر كانال به طور قابل ملاحظه اي كاهش مي يابد. همچنين پارامترهاي فركانس بالا شامل ترارسانايي، خازن گيت و فركانس قطع بالا محاسبه شد. نتايج بدست آمده نشان مي دهد فركانس قطع بالا در افزاره دو گيتي (dg) بيشتر از فركانس قطع بالا در افزاره يك گيتي ( sg) است. لذا ساختار دو گيتي براي كاربردهاي فركانس بالا افزاره مناسب تري مي باشد.
چكيده لاتين :
High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are the promising devices for high speed structures. In this paper، the electrical characteristics of AlGaN/GaN HEMT have been investigated. The impact of the second gate on the short channel effects (SCEs) and the high frequency performance of presented structurehas been analyzed. All simulations were carried out using 2-D Silvaco software. The threshold voltage، on-state current، off-state current، subthreshold swing have been evaluated. It was shown that SCEs on state current، off state current، subthreshold swing have been evaluated. It was shown that Siftware. The thresignificantly decrease with increasing the number of gates because of the better control of gate in double gate (DG) structure. Also، the high frequency parameters (transconductance، gate capacitance and cut-off frequency) have been calculated. The results show that the cut-off frequency in double gate (DG) structure is more than that of single gate (SG) structure. Therefore، the DG structure is more suitable device for high frequency applications.
