اثر حركت نقص پيوندي بر رسانش الكتروني نانو ساختارهاي خطي و حلقوي

The effect of bond defect movement on the electronic conductance of linear and cyclic nanostructures

در اين مقاله مبتني بر روش تابع گرين در رهيافت تنگابست، ترابرد الكتروني يك نانو‌نوار گرافني شامل يك نقص پيوندي و همچنين يك نانو‌سيم پلي‌استيلني شامل يك پيوند اضافي، مورد بررسي قرار گرفته است. نتايج نشان مي‌دهد كه رسانش الكتروني نسبت به تغيير مكان نقص پيوندي در موارد تشديدي و غير تشديدي، رفتاري متفاوتي از خود نشان مي‌دهد. تنها در مواردي كه پيوندهاي دوگانه داريم، با تغيير مكان پيوند مقدار رسانش در انرژي صفر، تغيير مي‌كند. به خصوص در نانو‌سيم پلي‌استيلني اين تغييرات بيشتر مشاهده مي‌شود. ميزان جابه‌جايي مكان ضد تشديدها در طيف رسانش، نسبت به تغيير محل نقص پيوندي نيز قوياً به نوع و شكل ساختار سامانه مركزي وابسته است.

In this paper, the electronic transport of a graphene nanoribbon including a bond defect as well as a polyacetylene nanowire, including an extra bond, has been studied based on Green's function technique at the tight-binding approach. The results show that the behavior of electronic conductance is different in resonance and nonresonance cases with respect to variation of bond defect position. The conductance value at the zero energy tunes by variation of defect position, only for the cases which includes double bonds. These changes is more observable especially at the polyacetylene nanowires. The amount of antiresonance shift with respect to bond defect position, in conductance spectrum, strongly depends on type and shape of center wire structure.