پيشنهاد يك طرح جديد به‌منظور افزايش بازده ديود گسيل نور گاليم نيترايد مبتني بر بلور فوتوني

Proposal a New Design to Efficiency Enhancement of GaN Light-Emitting Diode Based on Photonic Crystal

بازتاب داخلي كلي نور يكي از پديده‌هايي است كه باعث كاهش بازده ديود گسيل نور مي‌شود. در اين مقاله، با به‌كارگيري بلورهاي فوتوني مبتني بر حفره و كاهش بازتاب داخلي كلي نشان داده شد كه بازده يك ديود گسيل نور GaN را مي‌توان بيش از دو برابر افزايش داد. با بهره‌گيري از روش تفاضل محدود حوزه زمان و استفاده از 15 دوره تناوب با ثابت شبكه nm 680، ارتفاع حفره nm 210 و نسبت طول حفره به ثابت شبكه 0.5 به ازاي طول موج nm 400، بازده افزاره تا 2.1 برابر افزايش يافت. شبيه‌سازي و مقايسه نتايج به‌دست‌آمده از آن به ازاي طول موج‌هاي 400 و 465 نانومتر با پژوهش‌هاي ديگر نشان داد كه به‌كارگيري افزاره پيشنهادي، امكان دست‌يابي به بازده بيش‌تري را فراهم مي‌سازد.