عنوان مقاله :
بررسي نظري خواص ترابري الكتريكي تحت تاثير "پديده فوتورسانش پايدار PPC" در ساختار ناهمگون AlxGa1−xN/AlN/GaN
پديد آورندگان :
قليچ لي، عطيه دانشگاه صنعتي شاهرود , عشقي، حسين دانشگاه صنعتي شاهرود - دانشكده فيزيك
كليدواژه :
خواص ترابري الكتريكي , ساختار ناهمگون , چاه كوانتومي مثلثي , گاز الكترون دو بعدي , سازوكارهاي پراكندگي
چكيده فارسي :
در اين مقاله به مطالعه نظري وابستگي تحرك پذيري الكتروني به تراكم گاز الكترون دو بعدي 2DEG در ساختار ناهمگون AlxGa1-xN/GaN 0/25 و 0/15x تحت تاثير پديده فوتورسانش پايدار در دماي پايين K 1/6 پرداخته‌ايم. نتايج تحليل ما مبتني بر انواع سازوكارهاي پراكندگي و قاعده ماتيسن حاكي از آن است كه در تراكم‌هاي الكتروني پايين، پراكندگي دررفتگي‌ها سهم غالب را در كنترل تحرك گاز الكترون دو بعدي براي هر دو نمونه بر عهده داشته‌اند؛ اما در تراكم‌هاي بالاتر، نه تنها دررفتگي‌ها بلكه سازوكارهاي "ناخالصي‌هاي بخشنده‌هاي از راه دور" و "ناهمواري‌هاي سطح مشترك" نيز بر تحرك الكترون‌ها تاثير مي‌گذارند. محاسبات ما همچنين نشان مي‌دهد كه با كاهش كسر مولي آلومينيوم در لايه سد AlGaN، تراكم دررفتگي‌ها كاهش يافته و منجر به تحرك پذيري الكتروني بالاتري شده است.
چكيده لاتين :
In this paper, we have theoretical studied the dependence of electron mobility to the density of the two-dimensional electron gas 2DEG under the influence of persistent photoconductivity phenomenon of AlxGa1-xN/AlN/GaN x0.15 and 0.25 heterostructure in low temperature 1.6 K. The results of our analysis based on various scattering mechanisms and Matthiessen’s rule indicate that in low electron densities in both samples, the dislocation scattering is the main controlling mechanism of the 2DEG mobility; but in higher densities, not only the dislocation scattering but also "impurities due to remote donors" and "interface roughness" mechanisms affect the mobility of the electrons. Our calculations also show that by decreasing the aluminum mole fraction in the AlGaN barrier layer, the dislocation density is reduced and lead to a higher electron mobility.
