اثر تونل زني تزريقي بر پاسخ مدولاسيون ليزرهاي نقطه كوانتومي

Effect of tunneling injection on the modulation response of quantum dot lasers

در اين مقاله مشخصه هاي پهناي نوار مدولاسيون ليزر نقطه كوانتومي InGaAs/GaAs به صورت نظري مورد بررسي قرار گرفته است. شبيه سازي ها با استفاده از روش رانگ كوتا مرتبه چهارم انجام گرفته است. اثر طول عمر واهلش حامل ها، دما، چگالي جريان بر مشخصه هاي ليزر هاي نيمه رساناي نقطه كوانتومي تزريق تونلي (TIL(1 و بدون تزريق تونلي (CL(2 بررسي شده اند. نتايج نشان مي دهند كه تزريق تونلي در ليزر هاي نقطه كوانتومي موجب افزايش پهناي نوار مدولاسيون مي شود كه براي استفاده در سيستم هاي مخابرات فيبر نوري بسيار مفيد است.

In this paper, modulation bandwidth characteristics of InGaAs/GaAs quantum dot (QD) laser were theoretically investigated. Simulation was done by using the fourth order Runge-Kutta method. Effect of carrier relaxation life time, temperature and current density on characteristics of tunneling injection QD laser (TIL) and conventional QD laser (CL) were analyzed. Results showed that tunneling injection in QD laser increases the modulation bandwidth indicating that it is very useful for using in the fiber optic communication systems.