بررسي تأثير ميدان مغناطيسي بر انتقال حرارت جابجايي تركيبي نانوسيال درون محفظه K شكل با استفاده از روش شبكه بولتزمن

در كار حاضر، براي اولين بار، انتقال حرارت جابجايي تركيبي نانوسيال درون محفظه K شكل در حضور ميدان مغناطيسي با استفاده از روش شبكه بولتزمن شبيه‌سازي شده است. ديواره‌هاي سمت راست و چپ محفظه در دماي ثابت سرد قرار دارند. ديواره افقي پاييني محفظه در دماي ثابت گرم است. دما روي ديواره افقي بالايي محفظه بصورت خطي تغيير مي كند. در شبيه‌سازي صورت گرفته ميدان جريان و دما با حل همزمان توابع توزيع جريان و دما محاسبه شده است. تأثير پارامترهاي مختلفي چون عدد رينولدز (2005۰)، عدد هارتمن (600)، نسبت ابعاد محفظه (14/۰) و كسر حجمي نانوذرات (۰۵/۰۰) بر روي انتقال حرارت جابجايي تركيبي بررسي شده است. نتايج نشان مي‌دهد با ثابت ماندن تمامي پارامترها، افزايش نسبت ابعاد محفظه و عدد رينولدز سبب افزايش انتقال حرارت مي‌شود. بعلاوه در يك عدد رينولدز و نسبت ابعاد ثابت، افزايش عدد هارتمن باعث كاهش سرعت جريان درون محفظه و انتقال حرارت مي‌شود. همچنين تغيير كسر حجمي نانوسيال بر روي انتقال حرارت تأثيرگذار بود.