شماره ركورد :
1067944
عنوان مقاله :
بررسي اثر هاله ناخالصي كانال و شيب غلظت آن در ترانزيستور اثر ميداني نانو لوله كربني با آلايش سبك ناحيه سورس و درين با هاله خطي
عنوان به زبان ديگر :
Investigation of Effect of Channel Impurity Haloand its Concentration Slope in the Linear Halo Lightly Doped Drain and Source CNTFET
پديد آورندگان :
حجازي فر، محمدجواد دانشگاه آزاد اسلامي واحد سما تالش - گروه برق , صديق ضيابري، علي دانشگاه آزاد اسلامي واحد رشت - گروه برق
تعداد صفحه :
7
از صفحه :
17
تا صفحه :
23
كليدواژه :
ترانزيستور اثر ميداني نانولوله كربني (CNTFET) , آلايش سبك ناحيه سورس و درين (LDDS) , فركانس قطع , هاله خطي (LH) , تابع گرين غيرتعادلي (NEGF)
چكيده فارسي :
در اين تحقيق ترانزيستور اثر ميداني نانو لوله كربني با آلايش سبك لبه پايين سورس و درين با يك هاله ناخالصي خطي در كانال پيشنهاد شده و اثر تغيير شيب آلايش هاله خطي بر شاخص هاي جريان روشنايي، نسبت جريان روشنايي به خاموشي به ازاي جريان روشنايي، جريان نشتي، شاخص توان تاخير و فركانس قطع بررسي مي شود. ترانزيستور پيشنهادي با استفاده از روش NEGF شبيه سازي شده است. نشان داده ايم كه ناحيه هاله خطي نوع N در طرف سورس كانال ذاتي، سبب افزايش نسبت جريان روشنايي به خاموشي به ازاي μA 5>Ion مي شود. كاهش شيب ناحيه هاله خطي نيز، سبب افزايش جريان روشنايي و البته افزايش شاخص توان تاخير مي شود. همچنين با بررسي اثر تغيير غلظت ناحيه كم غلظت سورس و درين مشاهده مي شود كه در غلظت هاي كمتر، شاخص توان تاخير و وابستگي آن به شيب هاله كاهش مي يابد. با محاسبه فركانس قطع ترانزيستور اثر ميداني نانولوله كربني با آلايش سبك لبه پايين سورس و درين با هاله خطي نشان داديم كه ايجاد هاله خطي يك راه كار افزايش فركانس قطع افزاره است. كاهش شيب ناحيه هاله خطي نيز سبب بهبود مشخصه فركانس قطع به ازاي ولتاژ گيت مي شود.
چكيده لاتين :
In this work, a lightly doped drain and source CNTFET with a linear channel impurity halo is proposed and the effect of linear halo slope variation on ON current, ON–OFF current ratio, leakage current, power–delay product (PDP) and cutoff frequency has been investigated. Proposed linear halo lightly doped drain and source CNTFETs has been simulated using non equilibrium Green’s function (NEGF) method. We find that the linear halo in source side of the intrinsic channel improves the ON–OFF current ratio for . The ON current and power–delay product (PDP) are increased by reducing the slope of the linear halo region. Also, by decreasing the concentration of lightly doped drain and source regions,we observe a decrease in the PDP and its dependence on the halo concentration slope. By calculating the cutoff frequency of linear halo lightly doped drain and source CNTFET shown that creating a linear halo region increases the cutoff frequency. Furthermore, the cutoff frequency is improved by reducing the slope of linear halo region.
سال انتشار :
1397
عنوان نشريه :
مهندسي برق و الكترونيك ايران
فايل PDF :
7604056
عنوان نشريه :
مهندسي برق و الكترونيك ايران
لينک به اين مدرک :
بازگشت