بهبود عملكرد ابزارهاي الكترونيكي بر پايه پلي تيوفين به روش مهندسي گاف انرژي در حضور گرافين

Improvement of performance of electronic devices based on polythiophane using band gap engineering in the presence of graphene

نظريه تابعي چگالي (DFT) و نظريه اختلال بس ذره‌اي G0W0 به منظور بررسي تغيير خواص الكتروني پليمر پلي‌تيوفين (PT) در مجاورت گرافين به كار گرفته شدند. نتيجه تحليل تغيير چگالي بار نسبت به قبل از برهمكنش متقابل، نشان دهنده‌ي شكل-گيري دوقطبي الكتريكي قوي و جذب از نوع فيزيكي در سطح مي‌باشد. تغيير پتانسيل الكتريكي محاسبه شده نشان‌دهنده‌ي تغيير تابع كار به مقدار از مقدار اوليه آن است. نتايج به دست آمده از DFT تغييري را در گاف انرژي پليمر نشان نمي‌دهند، در حالي كه تغيير گاف انرژي در مجاورت گرافين نسبت به زنجيره منفرد كه از نتايج نظريه اختلال بس‌ذره‌اي G0W0 به دست آمده است چشمگير است.

Density functional theory (DFT) and many body perturbation theory at the G0W0 level were used to investigate the change of the electron properties of Polythiophene (PT) polymer in the vicinity of graphene. The result of the analysis of the change in the density of the load compared to the pre-mutual interaction indicates a strong electric bipolarity and an absorption of the physical type at the surface. The change in the calculated electrical potential indicates the change in the work function to the value of its initial value . The results from the DFT do not show a change in the polymeric energy gap, while graphene energy gap changes from the isolated chain obtained from the results of the many body perturbation theory at the G0W0 level.