بهبود ساختار تقويت كننده رامان كريستال فوتوني هايبريد به كمك مواد اپتوفلوييدي

در اين مقاله، با استفاده از موجبر كريستال فوتوني هايبريد، ساختاري براي تقويت كننده رامان پيشنهاد مي شود كه در آن به كمك ايجاد نانو حفره هاي پر شده با مواد اپتوفلوييدي در مسير پمپ و سيگنال، سرعت گروه پمپ و سيگنال كاهش يافته و در نتيجه بهره و عرض باند تقويت رامان افزايش مي يابد. در اين ساختار، پارامترهاي هندسي براي دست يابي به بهره و عرض باند تقويت بزرگتر، بهبود مي يابند. معادلات ماكسول به روش FDTD و با درنظر گرفتن اثرات غيرخطي جذب دو فوتوني، جذب حامل آزاد، اثر كِر و مدلاسيون فاز خودي در موجبر كريستال فوتوني هايبريد حل مي شوند. سپس با تزريق هم زمان 3 پمپ با طول موج و توان مناسب به ساختار تقويت كننده رامان با طول um 350، بهره رامان 10.06 db و عرض باند تقويت nm 5.75 حاصل مي شود.