كليدواژه :
نانو لوله كربني , گيت XOR , كمپرسور 4 به 2 , ضرب كننده , نانوفناوري
چكيده فارسي :
در حوزه ي الكترونيك ديجيتال، دستيابي به مدارهايي با سرعت بيشتر و توان مصرفي كمتر، بسيار حائز اهميت است. از اين رو، بهبود پياده سازي مدارهاي محاسباتي مانند ضرب كننده كه به طور گسترده در ريزپردازنده ها، پردازش سيگنال و بسياري از الگوريتم هاي رمزنگاري مورد استفاده قرار مي گيرد، مورد توجه است. علاوه بر اين، كمپرسورها مهم ترين واحد پياده سازي در ضرب كننده ها هستند كه در بين كمپرسورهاي مختلف، كمپرسور 4 به 2 يكي از پركاربردترين روش-ها براي پياده سازي است. از طرفي، پياده سازي اين كمپرسور كاملا به گيت هاي XOR بستگي دارد. لذا، وجود يك طراحي مناسب براي XOR در بهبود عملكرد كمپرسور 4 به 2 موثر است و مي تواند كارآيي كل سيستم ضرب كننده را بهبود بخشد. در اين مقاله، طراحي كمپرسور 4 به 2 براساس گيت XOR پيشنهادي با ترانزيستورهاي نانولوله كربني ارائه شده است كه نتايج آن در تكنولوژي 32 نانومتر CNTFET شبيه سازي شده است. مقايسه نتايج حاصل از پياده سازي با بهترين طرح هاي موجود نشان مي دهد طراحي كمپرسور ارائه شده ضمن كاهش تعداد ترانزيستورهاي مدار، 4/31 درصد تاخير، 45/99 درصد توان مصرفي و 47/72 درصد حاصل ضرب توان در تاخير را نسبت به كمپرسورهاي موجود بهبود مي دهد.
چكيده لاتين :
In the field of digital electronics, it is very important to achieve faster and less power consuming circuits. Hence, improvements in the implementation of computational circuits, such as multipliers which are widely used in microprocessors, signal processing, and many cryptographic algorithms, are considered. In addition, the compressors are the most important operation unit in the multipliers. Amongst different compressors, compressor (4;2) is one of the most popular methods to implement of multipliers. Moreover, the implementation of this compressor depends primarily on XOR gates, and an appropriate XOR design is effectively improving the performance of compressor (4;2) and it can improve the overall performance of the multiplier system. In this paper, the design of compressor (4;2) is based on the proposed XOR gate with carbon nanotube transistors, which has been simulated in 32 nm CNTFET Stanford technology. Simulation results , shows that the proposed design, while reducing the circuit area, improve delay by 4.31% , power consumption by 45.99% and power delay product by 47.72%, in comparison with the best compressors.
