عنوان مقاله :
بدست آوردن رابطه ي ولتاژ آستانه در ماسفت هاي سيليكون روي الماس با طول كانال 22 نانومتر و يك لايه عايق اضافي
عنوان به زبان ديگر :
Analytical Threshold Voltage Computations for 22 nm Silicon-on-Diamond MOSFET Incorporating a Second Oxide Layer
پديد آورندگان :
سپهري، زهرا دانشگاه صنعتي اصفهان - دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر، اصفهان , دقيقي، آرش دانشگاه شهركرد - دانشكده فني و مهندسي، شهركرد
كليدواژه :
سيليكون روي الماس , سيليكون روي عايق , ولتاژ آستانه , توزيع پتانسيل
چكيده فارسي :
در اين مقاله براي اولين بار رابطه ي تحليلي ولتاژ آستانه در يك ترانزيستور ماسفت سيليكون روي الماس با يك لايه عايق اضافي و طول كانال كوتاه ارائه گرديده است؛ در اين ساختار لايه ي عايق اول الماس است كه بر روي زير لايه ي سيليكوني قرار دارد و لايه ي عايق دوم دي اكسيدسيليكون مي باشد كه بر روي الماس قرار گرفته و از دو طرف به سورس و درين محدود شده است. رابطه ي تحليلي براي محاسبه ي ولتاژ آستانه با محاسبه ي خازن هاي موجود در عايق مدفون استفاده شده است. نتايج بدست آمده از روابط تحليلي و شبيه سازي افزاره براي ولتاژ آستانه در ترانزيستورهاي سيليكون روي الماس دو لايه، سيليكون روي عايق و سيليكون روي الماس با ابعاد و طول كانال مشابه، مقايسه شده است. همچنين تاثير ابعاد افزاره نظير ضخامت اكسيد گيت، ضخامت بدنه ي سيليكوني، ضخامت عايق دوم و طول اين عايق را بر روي ولتاژ آستانه ي افزاره ي سيليكون روي الماس با عايق دو لايه بررسي كرده ايم و نتايج حاصل از روابط تحليلي را با نتايج بدست آمده از شبيه سازي افزاره مقايسه نموديم و به تطبيق مناسبي بين نتايج
حاصل دست يافته ايم.
چكيده لاتين :
In this paper, for the first time, an analytical equation for threshold voltage computations in silicon-on-diamond MOSFET with an additional insulation layer is presented; In this structure, the first insulating layer is diamond which covered the silicon substrate and second insulating layer is SiO2 which is on the diamond and it is limited to the source and drain on both sides. Analytical solution was used to determine the threshold voltage by computations of capacitors in buried insulators. Simulation and Analytical results of threshold voltage in silicon-on-diamond and silicon-on-insulator with the same dimensions and channel length were compared. Theeffect of device parameters like gate oxide thickness, silicon body thickness, length and thickness of oxide on threshold voltage of the silicon-on-diamond MOSFET were investigated and the analytical results were compared against device simulation findings.
عنوان نشريه :
مهندسي برق و الكترونيك ايران
