عنوان مقاله :
خطي سازي تقويت كننده كم نويز كسكود با پياده سازي روش بر هم نهي اجزا
عنوان به زبان ديگر :
CMOS LNA with Improved Linearity Using Modified Derivative Superposition
پديد آورندگان :
مسكراف، محمدحسين دانشگاه صنعتي سجاد - دانشكده مهندسي برق و مهندسي پزشكي، مشهد , گلمكاني، عباس دانشگاه صنعتي سجاد - دانشكده مهندسي برق و مهندسي پزشكي، مشهد
كليدواژه :
خطي سازي , تقويت كننده كم نويز , LNA , Feed Forward , (Derivative superposition (DS
چكيده فارسي :
اين مقاله درصدد بهبود خطينگي تقويت كننده كم نويز است كه با موازي كردن يك مسير كمكي به تقويت كننده ي اصلي به دست مي آيد و نيز براي دستيابي به بهره بيشتر از تركيب كسكود استفاده شده است، در مدار پيشنهاد شده از طريق ايجاد مسير كمكي و سلف هاي اضافه شده در پايه سورس ترانزيستور، دامنه و فاز تنظيم مي شود. به اين ترتيب كنترل ضريب غيرخطي مرتبه سوم ممكن مي گردد، تا در نهايت ضريب غيرخطي مرتبه سوم كل را تا حد امكان كوچك نمود. همچنين اثر ضريب غيرخطي مرتبه دوم بروي IIP3 مورد بررسي قرار مي گيرد. معمولاً براي تحليل اثرات غيرخطي، از تحليل سري تواني استفاده مي شود. پيشنهاد روش (DS) ارائه شده در اين مقاله، قابليت اضافه شدن به انواع مدارهاي تقويت كننده را دارا است چرا كه به صورت موازي با تقويت كننده اصلي قرار مي گيرد. در اين شبيه سازي از تكنولوژي TSMC_RF 180 nm استفاده شده است. نتايج به دست آمده مقدار بهره را در حدود 18dB، عدد نويز 2.43dB و مقدار IIP3 در حدود 7.5dB+ نشان مي دهد.
چكيده لاتين :
An improvement in linearity of LNA amplifiers is achieved in proposed paper using auxiliary path, paralleled with the main amplifier. Moreover a cascode structure is employed to reach better amplifier parameter. Phase and amplitude are set through the second path and additional inductances in this transistor Source. Consequently non-linearity coefficient is controlled which leads to minimize the overall non-linearity coefficient. An investigation is also conducted on second-order non linearity coefficient which directly influences on IIP3. Power analyses can be used for it buta volterra analysis is applied for more accuracy and better nonlinearity modeling. DS method which is proposed in this paper can be added to various amplifier circuits since it parallels with the main circuit. Noise figure is controlled since the gates of transistors are not connected together directly. In this case we have reached an appropriate linearity which was anticipated the simulation results show a gain of 18dB, a noise figure of 2.43dB, and an IIP3 of 7.5dBm. All simulations are carried out using in 0.18 µm TSMC-RF technology.
عنوان نشريه :
مهندسي برق و الكترونيك ايران
