عنوان مقاله :
ديپلكسر با رزوناتورهاي حلقوي مكمل شكاف‌دار به شكلS خم‌شده در كاربردهاي LTE
عنوان به زبان ديگر :
Diplexer Embedded with Crisped S-shaped Complementary Split Ring Resonators for LTE Band Application
پديد آورندگان :
محمدي، پژمان دانشگاه آزاد اسلامي اروميه - گروه مهندسي برق، اروميه , بني هاشم، علي دانشگاه آزاد اسلامي اروميه - گروه مهندسي برق، اروميه
كليدواژه :
ديپلكسر , ريزنوار , موج‌بر مجتمع‌شده , رزوناتورهاي حلقوي مكمل
چكيده فارسي :
در اين مقاله ساختار جديدي از يك ديپلكسر با استفاده از تكنولوژي موجبرمجتمع‌شده (SIW) و رزوناتور حلقوي مكمل شكاف‌دار براي كاربردهاي LTE در فركانس هاي 1.3 گيگاهرتز و2.1 گيگاهرتز طراحي شده است. اين ديپلكسر فشرده‌شده, توسط رزوناتور حلقوي S شكل در يك ساختار موجبري ارائه شده است. در اين طرح ابتدا فيلترهاي متناظر با هريك از باندها در شبيه‌ساز طراحي و سپس با استفاده از پارامترهاي پراكندگي هر يك از فيلترها ساختار T شكل در ورودي ديپلكسر بهينه‌سازي شد. با توجه به نتايج اندازه‌گيري ديپلكسر ساخته‌شده دهانه‌هاي ورودي و خروجي تطبيق امپدانسي مناسبي در باندهاي مورد نظر دارند و تلفات انتقالي در فركانس هاي1.3 گيگاهرتز و2.1 گيگاهرتز به‌ترتيب حدود 1 دسي‌بل و 2 دسي‌بل است. مقدار ايزولاسيون بين دهانه‌هاي خروجي بيش از30 دسي‌بل است. نهايتا ساختار پيشنهادي كارايي بسيار مطلوبي را منعكس مي‌كند. اين ساختار مزيت‌هايي را مانند ابعاد كوچك ، تلفات پايين ، ايزولاسيون بالا ، ساخت آسان و قابليت مجتمع‌سازي‌شدن با ديگر مدارات مسطح را دارد.
چكيده لاتين :
In this paper, a novel structure of diplexer is designed based on Substrate Integrated Wave guide (SIW) technology and S-shaped complementary split ring resonator to operate in LTE1.3 GHz -2.1 GHz band. A miniaturized and compact SIW diplexer implemented by Crisped S-shaped Complementary Split Ring operated in a waveguide format is proposed and presented. In design process, firstly, the filters corresponding to each of the bands is designed in simulator, then by using S-parameter of each filter the T-shaped structure dimensions of the input feeding diplexer is achieved and optimized. It is deduced from measurement results of diplexer that input and output impedance matching in the respective bands, transmission losses are1dB and 2dB for 1.3 GHz and 2.1 GHz respectively. The isolation between output ports is better than 30dB. Finally the proposed structure reflects the performance is highly desirable. This structure illustrates advantages in terms of the small size, low loss, high isolation, easy realization and integration with other planar circuits.
عنوان نشريه :
مهندسي برق دانشگاه تبريز
