بررسي ويژگي‌هاي ساختاري و الكتروني تركيب‌هاي AgGaX2(X=Se,S,Te) و CuSbX2(X=Se,S,Te) با استفاده از نظريۀ تابعي چگالي

در اين مطالعه ويژگي­ هاي ساختاري از جمله ثابت­ هاي شبكه، مدول حجمي و الكتروني تركيب ­هاي (X=S,Se,Te) AgGaX2 وCuSbX2 (X=S,Se,Te) در حالت انبوه در چارچوب نظريۀ تابعي چگالي و روش موج­ هاي تخت بهبود يافتۀ خطي با پتانسيل كامل (FP-LAPW) با استفاده از نرم ­افزار Wien2k محاسبه شده است. هم­چنين براي بررسي ويژگي­هاي الكتروني اين تركيب­ ها، چگالي حالت­ هاي كل، ساختار نواري، چگالي حالت ­هاي جزيي و چگالي ابر الكتروني رسم شده ­اند. نتيجه ­هاي به دست آمده نشان مي­ دهد كه هر سه تركيب نيم ­رسانا داراي گاف مستقيم در نقطۀ Γ مي ­باشد. با توجه به چگالي ابر الكتروني و چگونگي توزيع ابر الكتروني در اطراف اتم­ ها، نشان م ي­دهد كه پيوند بين ات م­ها در تركيب­ هاي(X=S,Se,Te) AgGaX2 وCuSbX2 (X=S,Se,Te) كووالانسي است. هم­چنين با استفاده از منحني­ هاي چگالي حالت ­ها، چگونگي هم­پوشاني اربيتال ­ها بيان شده ­اند. از سويي با رسم نمودار ساختار نواري تركي ب­ها با تقريب­هاي گوناگون براي انرژي تبادلي ـ همبستگي، ميزان و دقت گاف­هاي نواري تركيب ­ها مشخص شده است كه نتيج ه­هاي به­ دست آمده با ديگر نتيجه­ هاي تجربي موجود سازگار مي­ باشد.