ترابرد الكتروني و رسانندگي الكتريكي حاملين بار درتك بلورهاي GaAs از نوع P در محدوده‌ي دمايي(400-100) درجه‌ي كلوين

Electronic transport and electrical conductivity of charge carriers in type GaAs monocrystals in the wide temperature range (100-400) K

گاليوم آرسنايد تركيبي از عنصرهاي گروه‌هاي III-V جدول تناوبي عناصر است. گاليوم آرسنايد در ساختاري بلوري مشهور به zinc blende متبلور مي‌شود. اين ساختار به ساختار شبكه‌ي بلوري الماس بسيار شبيه است. از اين نيمرساناي استفاده‌ي گسترده‌اي در تكنولوژي و ساخت قطعات نيمرسانا مانند مدارهاي مجتمع، ديودهاي مادون قرمز، ديودهاي ليزري و سلول هاي خورشيدي مي شود از اين جهت مطالعه‌ي خواص آن حايز اهميت است. در اين مقاله رسانندگي الكتريكي نيمرساناي GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه هاي تحت بررسي كه شامل دو نمونه نيمرسانايي GaAs هستند به ترتيب با عناصر Cr وFe آلاييده شده اند. اين ناخالصي ها ناهمگني زيادي را در شبكه‌ي GaAs به وجود مي‌آورند و از اين لحاظ مكانيزم پراكندگي خاصي را براي حاملين بار در GaAs ايجاد مي‌كنند. در اين كار تجربي رسانندگي الكتريكي حاملين در گستره‌ي دمايي (400-100) درجه‌ي كلوين براي هر دو نمونه مذكور مورد بررسي قرار گرفته است.

Gallium arsenide is a compound of the elements gallium and arsenic. It is a III-V direct band gap semiconductor with a zinc blende crystal structure. GaAs is used in the manufacture of devices such as microwave frequency integrated circuits, monolithic microwave integrated circuits, infrared light-emitting diodes, laser diodes, solar cells and optical windows. From this view point, study of the electronic properties of GaAs single crystals is of prime importance. In this experimental work, electrical conductivity of two kinds of p-type GaAs samples each doped with Cr and Fe have been studied in the wide temperature range (100-400) K. Apart from temperature dependency of mobility of charge carriers also different predominant scattering mechanisms occurring in these crystals have been given.