بررسي طيف هاي اپتوالكترونيكي تتراگونال ايتريوم وانادت YVO4 و اثر Gd بر آن

طيف هاي الكترونيكي و اپتيكي تركيبات YVO4 و GdVO4 به صورت نظري با استفاده از نظريه تابعي چگالي (DFT) بررسي شده است. محاسبات با استفاده از روش پتانسيل كامل موج تخت افزوده شده ي خطي ( FP- LAPW) و تقريب شيب تعميم يافته (GGA) انجام شده است. نتايج بدست آمده نشان مي دهد كه تركيبات ,YVO و GdVO4 به ترتيب گاف نواري به اندازه 3/64 و 2/44 الكترون ولت دارند. تفاوت خواص الكترونيكي در دو تركيب به علت وجود اوربيتال f در اتم Gd است. طيف هاي اپتيكي از قبيل تابع دي الكتريك، طيف اتلاف انرژي الكترون، ضرايب شكست، جذب و بازتابندگي مطالعه شده اند. ضرايب شكست بدست آمده نشان مي دهد كه تركيب YVOA ضريب شكست بزرگتري از تركيب ,GdVO دارد. نتايج اپتيكي نشان مي دهد كه پاشندگي هر دو تركيب در توافق خوبي با نتايج تجربي است.