شبيه سازي و بررسي پارامترهاي موثر بر كاهش توان مصرفي در مدارهاي ضرب كننده با استفاده از فناوري ترانزيستورهاي CNT

پديد آورندگان

مقاتلي، عبدالرسول دانشگاه آزاد اسلامي، بوشهر , مومن زاده، حسين دانشگاه آزاد اسلامي، بوشهر , كاكايي، محمدنادر دانشگاه آزاد اسلامي، بوشهر

تعداد صفحه

10

از صفحه

10

از صفحه (ادامه)

0

تا صفحه

19

تا صفحه(ادامه)

0

كليدواژه

ترانزيستور نانو لوله كربني , ضرب كننده آنالوگ چهار ربعي , مد جريان , مدار مجذور كننده جريان

چكيده فارسي

در اين مقاله، به ارائه يك ضرب‌كننده آنالوگ چهار ربعي مد جريان جديد برپايه ترانزيستور هاي نانو لوله كربني مي‌پردازيم. مدارهاي مجذوركننده جريان كه اخيرا طراحي‌شده است و آينه جريان، كه در ولتاژ تغذيه پايين (1V) كار مي‌كنند، اجزاي اساسي در تحقق معادلات رياضي هستند. در اين پژوهش مدار ضرب‌كننده، با استفاده از فناوري CNTFET ،32 نانو متر طراحي مي‌شود و براي معتبر ساختن عملكرد مدار، ضرب‌كننده ارائه‌شده در شبيه‌ساز HSPICE شبيه‌سازي شده است. نتايج حاصل از شبيه‌سازي نشان مي دهد كه مدار قابليت عملكرد مطلوب را تا فركانس 2 گيگا هرتز ، مصرف توان ماكزيمم 3.7464µw و همچنين داراي THD 0.226043% مي باشد.

چكيده لاتين

This Article has no English Abstract

سال انتشار

1396

عنوان نشريه

مهندسي مخابرات جنوب

فايل PDF

8217959