جمع‌كننده نافرار و توان پايين مبتني بر فناوري اسپينترونيك براي پياده‌سازي محاسبات در حافظه

با پيشرفت فناوري و كوچك‌شدن اندازه ترانزيستورها به خصوص در فناوري‌هاي زير 90 نانومتر مصرف توان ايستاي بالا به علت افزايش نمايي جريان نشتي ترانزيستورها به يكي از بزرگ‌ترين مشكلات مدارهاي مبتني بر فناوري CMOS تبديل شده است. افزاره‌هاي اسپينترونيك مانند پيوند تونل‌ مغناطيسي (MTJ) با توجه به ويژگي‌هاي منحصربه‌فردشان از جمله مصرف توان ايستاي پايين، نافراربودن، طول عمر زياد، سازگاري با ترانزيستور‌هاي CMOS و امكان ساخت در چگالي‌هاي بالا يكي از گزينه‌هاي مورد توجه براي طراحي مدارهاي تركيبي MTJ/CMOS و غلبه بر معضل مصرف توان ايستاي بالا در مدارهاي مبتني بر فناوري CMOS است. در اين مقاله يك تمام جمع‌كننده تركيبي MTJ/CMOS كاملاً نافرار و توان پايين براي پياده‌سازي محاسبات در حافظه ارائه شده است. نتايج شبيه‌سازي‌ها نشان مي‌دهد كه تمام جمع‌كننده نافرار پيشنهادي نسبت به تمام جمع‌كننده‌هاي نافرار موجود حداقل 50 درصد سريع‌تر بوده، حاصل‌ضرب توان در تاخير آن 39 درصد كمتر است و سربار سخت‌افزاري زيادي نيز به مدار تحميل نمي‌كند.