بهبود عملكرد ديود اثر ميداني به منظور كاربرد در تكنولوژي نانو

Performance Improvement of Field Effect Diodes (FED) for Nanotechnology

يكي از مشكلات اصلي ديودهاي اثر ميداني (FED)، افزايش جريان خاموشي ان با كاهش طول كانال مي باشد. از اين رو در اين مقاله ساختار جديدي ارائه شده است كه با كاهش سطح اشتراك كانال با نواحي سورس و درين و بدون نياز به مخازن ها ميزان تزريق حامل هاي اضافي به كانال كاهش يافته و كنترل گيت بر كانال افزايش مي يابد. با تكنيك به كار رفته و بدون نياز به مخازن ها حجم نواحي سورس و درين نسبت به ساختار ديوداثرميداني با اتصال جانبي (S-FED) افزايش يافته و موجب بهبود جريان روشن مي شود از اين رو با مقايسه ساختار ارائه شده و S-FED نشان داده مي شود كه پارامترهاي مهمي همچون جريان روشن، نسبت جريان روشن به خاموش ، تاخير گيت و حاصلضرب انرژي درتاخيرگيت بهبود بخشيده شده است و لذا ساختار ارائه شده مي تواند جايگزين مناسبي براي ساختار هاي متداول باشد.

One of the main problems of field effect diode (FED) is the increasing of its turn-off current as the channel length decreases. Thus, in this paper, a new structure is presented which decreases the injection of extra carriers to the channel and also increases the control of the gate over the channel by reducing the portion of channel shared with the source and drain regions and without the need for reservoirs. Using this technique and without the need for the reservoirs, the source and drain regions increase in size compared to the S-FED structure, and turn-on current is enhanced. Therefore, by comparing the proposed structure with S-FED, it is demonstrated that the important parameters such as Ion, Ion / Ioff ratio, Gate Delay, and EDP have been improved, and this structure can be a proper alternative to conventional structures