طراحي يك تقويت‌كننده كم نويز يكپارچه در باند Ka با استفاده از فناوري µm InGaAs pHEMT 0.15

در اين مقاله، يك تقويت كننده كم نويز در باند Ka به‌صورت يكپارچه با استفاده از فناوري µm InGaAs pHEMT 0.15 براي كاربرد در گيرنده هاي ماهواره اي ارائه مي گردد. اين تقويت كننده كه متشكل از سه‌طبقه مي باشد پس از طراحي و شبيه سازي، جانمايي شده و به‌صورت تمام موج شبيه سازي شده است. حداكثر عدد نويز تقويت كننده در بازه فركانسي GHz 32 تا GHz 37 برابر با dB 1.8 و محدوده تغييرات بهره برابر dB 0.4 ± 20.7 به‌دست آمده است. ميزان تلفات بازگشتي در ورودي و خروجي نيز بهتر از dB 16 و نقطه فشردگي بهره dB 1 در خروجي برابر با dBm 13 حاصل شده است. مساحت كل اشغال‌شده طرح نهايي برابر با mm2 1.3 × 1.6 مي باشد. تقويت كننده هاي طبقات مختلف از نوع سورس مشترك با پيكربندي source degenerated بوده و تلاش شده است تا حد امكان تطبيق امپدانس با استفاده از خط انتقال بجاي سلف پياده سازي شود. پايداري مدار نيز در بازه فركانسي وسيع تاGHz  45 برآورده شده كه براي بهبود آن از يك مقاومت و مدار تشديد موازي در مسير تغذيه كمك گرفته شده است.