حافظه نوري فلش مبتني بر نور كند در بلورهاي فوتوني

در اين مقاله، طراحي و شبيه‌سازي نوع جديدي از حافظه‌هاي نوري مبتني بر نور كند در ساختار بلور فوتوني نوع ميله با شبكه شش‌ضلعي براي اولين بار ارائه مي‌شود كه كنترل فرآيند نوشتن، نگه‌داري و خواندن اطلاعات به صورت مستقل و با تغيير ضريب‌شكست صورت مي‌گيرد. حافظه نوري معرفي‌شده از نوع فلش است كه بر پايه‌ي مفهوم نور كند در بلورهاي فوتوني به‌دست‌آمده و قابليت كاركرد به صورت موازي و بر اساس روش مالتي‌پلكسينگ طول‌موج را دارد. حافظه براي عملكرد در طول‌موج كاري 1550 نانومتر با پهناي باند 1 نانومتر طراحي شده، هرچند عملكرد ساختار با استفاده از اصل مقياس‌پذيري در بلورهاي فوتوني به محدوده وسيعي از طول‌موج‌هاي باند مخابرات نوري قابل گسترش است. فاكتور كيفيت در محل سلول حافظه براي ساختار پيشنهادي برابر با 105×3.4 است كه با افزايش سايز حافظه قابل ارتقاء است. طول عمر فوتون با لحاظ‌كردن فاكتور كيفيت 105×3.4  برابر با 0.6 نانوثانيه است. ويژگي‌هاي قابل توجه ساختار پيشنهادي براي حافظه نوري، امكان كنترل مستقل فرايند نوشتن و خواندن اطلاعات، اندازه كوچك، سرعت بالاي فرايند خواندن و نوشتن، مدت زمان طولاني براي نگه‌داري حافظه و ايجاد تطبيق ضريب‌شكست گروه تقريباً برابر براي درگاه‌هاي ورودي/ خروجي و سلول حافظه‌است كه باعث افزايش بازده الحاق مي‌شود.