تحليل محاسباتي نقش پروتون‌هاي كم‌انرژي در وقوع به‌هم‌ريختگي‌هاي تك‌حادثه‌اي بر يك حافظه SRAM با فن‌آوري 65 نانومتري CMOS

در اين تحقيق به تحليل محاسباتي نوعي از اثرات پرتو بر قطعات الكترونيك تحت عنوان به‌ هم‌ ريختگي‌هاي تك‌ حادثه‌ اي (SEU) با استفاده از كد Geant4 پرداخته شد و نتايج، با مقادير گزارش شده در يك كار تجربي مشابه و يك كار شبيه سازي با كد مونت‌ كارلوي CRÈME-MC مقايسه گرديد. به‌ هم‌ ريختگي‌هاي تك‌ حادثه‌ اي رخدادهاي رايجي هستند كه به طور ناگهاني و با تغيير حالت منطقي قطعه (تبديل 0 به 1 يا بالعكس) موجب اختلال در عملكرد آن مي‌ شوند. در شبيه‌ سازي ‌هاي انجام شده سطح مقطع به‌ هم‌ ريختگي ناشي از پروتون‌ هاي كم‌تر از MeV 10 براي يك حافظه SRAM با فن ‌آوري 65 نانومتري CMOS به دست آمد و ميزان اثربخشي ذرات و نيز سازوكار ايجاد به‌ هم‌ ريختگي تجزيه و تحليل شد. نتيجه تحليل‌ ها نشان دادند، بيش‌ترين ميزان به ‌هم‌ ريختگي ناشي از پروتون‌ هاي با انرژي كم‌تر از MeV 1 تحت سازوكار يونش مستقيم و در نتيجه قرارگيري طيف پروتون‌ هايي درون حجم حساس است كه بيش‌ترين توان ايستانندگي را دارند. هم‌چنين نتايج محاسبات نشان دادند، در انرژي‌ هاي بين MeV 2 تا MeV 10 پروتون فرودي، سيليكون‌ هاي پس‌ زده ناشي از پراكندگي كشسان پروتون‌ ها درون حجم حساس در وقوع به‌ هم‌ ريختگي نقش غالب دارند و سهم پروتون‌ ها و ساير ذرات توليد شده در لايه ‌هاي قبل از حجم حساس در مقايسه با سيليكون پس ‌زده ناچيز است.