طراحي و شبيه‌سازي يك تقويت‌كننده ترارساناي عملياتي راه‌اندازي شده از طريق بدنه مبتني بر فناوري ترانزيستور اثر ميدان نانولوله‌كربني

در اين مقاله، يك مدار تقويت كننده ترارسانايي عملياتي جديد دو طبقه پيشنهاد مي شود كه نياز هاي بهره بالا، توان مصرفي پايين و نويز كم را برآورده مي كند و بر اساس روشgm/ID  و راه اندازي از طريق بدنه طراحي شده است. قابل ذكر است كه طراحي هاي صورت گرفته مداري با توجه به محدوديت هاي فناوري CMOS، در فناوري CNTFET انجام شده است. همچنين به منظور بهبود خطينگي مدار، ترانزيستورهاي تريودي در هر دوطبقه به كار برده شده است. شبيه سازي هاي مدار تقويت كننده ترارسانايي عملياتي پيشنهادي در نرم افزار HSPICE و با ولتاژ تغذيه يك ولت و خازن هاي بار يك پيكوفاراد انجام پذيرفته است. بر اساس نتايج به دست آمده، مدار پيشنهادي كمتر از 27 ميكرووات توان مصرف مي كند و بهره بالاي 98 دسي بل را ارائه مي دهد. مقدار CMRR و PSRR مدار پيشنهاد شده به ترتيب برابر با 121 دسي بل و 152 دسي بل است. نويز ارجاع شده به ورودي مدار برابر با  0.92 نانو ولت بر راديكال هرتز بوده و سرعت چرخش مدار برابر با 111 ولت بر ميكروثانيه است كه نشان از بهتربودن مقدار ضريب شايستگي مدار پيشنهادي در مقايسه با كارهاي قبلي است.