عنوان مقاله :
تأثير روشهاي پوششدهي نانوذرات دياكسيد سيليكون بر بهبود شار حرارت بحراني
پديد آورندگان :
رحيميان ، عارف پژوهشگاه علوم و فنون هستهاي - پژوهشكدهي راكتور و ايمني هستهاي , كاظمينژاد ، حسين پژوهشگاه علوم و فنون هستهاي, سازمان انرژي اتمي - پژوهشكده كاربرد پرتوها , خلفي ، حسين پژوهشگاه علوم و فنون هستهاي - پژوهشكدهي راكتور و ايمني هستهاي , اخوان ، اعظم پژوهشگاه علوم و فنون هستهاي, سازمان انرژي اتمي - پژوهشكده كاربرد پرتوها , ميروكيلي ، محمد پژوهشگاه علوم و فنون هستهاي - پژوهشكدهي راكتور و ايمني هستهاي
كليدواژه :
پوشش به روش جوشش استخري , پوشش به روش الكتروفورتيك , شار حرارت بحراني
چكيده فارسي :
در اين مطالعه از دو روش پوشش دهي نانوذرات دي اكسيد سيليكون (2SiO)، جوشش استخري و الكتروفورتيك، جهت افزايش شار حرارت بحراني نوارهاي استيل مورد استفاده قرار گرفته است. در هر يك از اين دو روش، پوشش دهي در مدت زمان 20، 40 و 60 دقيقه با ثابت نگه داشتن ساير پارامترها انجام شده و با بررسي تصاوير SEM و EDS گرفته شده، زاويه تماس اندازه گيري شده است. با استفاده از اين دو روش، سطوح آب دوست و فوق آب دوست ايجاد شده، منحني جوشش و شار حرارت بحراني محاسبه شده و با روابط تجربي و تحليلي موجود مقايسه گرديد. نتايج نشان داد كه زاويه تماس براي سطوح پوشش دهي شده به روش جوشش استخري كم تر از روش الكتروفورتيك است و در نتيجه شار حرارت بحراني به مقدار قابل توجهي افزايش مي يابد. هم چنين مقايسه نتايج شار حرارتي بحراني حاضر با نتايج تجربي كه تابعي از خواص سطح مي باشند، هم خواني بهتري را نشان داد.
عنوان نشريه :
علوم و فنون هسته اي
عنوان نشريه :
علوم و فنون هسته اي