ارزيابي مشخصه فليپ‌فلاپ استاتيك مبتني بر ترانزيستور نانو نوار گرافني سد شاتكي تحت تغييرات فرايند ساخت

ترانزيستورهاي نانو نوار گرافيني (GNRFETs) به عنوان يك گزينه اميدواركننده براي جايگزيني ترانزيستورهاي سيليكوني متداول در تكنولوژي نسل آينده مطرح مي‌باشند. كانال GNRFET در مقياس چند نانومتر است و از اين رو بررسي تأثير تغييرات فرايند ساخت بر روي عملكرد مدارها بسيار حايز اهميت خواهد بود. در اين مقاله، تأثير تغييرات فرايند ساخت نظير ضخامت اكسيد، طول كانال و تعداد خطوط دايمر بر روي تأخير، توان و حاصل‌ضرب انرژي تأخير (EDP) فليپ‌فلاپ مبتني بر SBGNRFET ارزيابي شده و مورد تجزيه و تحليل قرار گرفته است. علاوه بر آن شبيه‌سازي مونت‌كارلو نيز براي تحليل آماري اين تغييرات انجام شده است. با تغيير ضخامت اكسيد از مقدار نامي به nm 1.15، تأخير انتشار و EDP به ترتيب به ميزان 31.57 و 60.62 درصد افزايش مي‌يابد. همچنين تغيير طول كانال كمترين ميزان تأثير را بر روي مشخصه فليپ‌فلاپ دارد. با افزايش يك واحد تعداد خطوط دايمر از مقدار نامي، تأخير انتشار و EDP به ترتيب به ميزان 315.48 و 204.79 درصد افزايش مي‌يابد. همچنين نتايج حاصل از شبيه‌سازي مونت‌كارلو نشان مي‌دهد كه مشخصه فليپ‌فلاپ نسبت به تغيير ضخامت اكسيد يك توزيع هيستوگرام با ميزان گستردگي 2.46، 1.57 و 2.39 برابر نسبت به تغيير خطوط دايمر دارد.