جفت‎شدگي غيرخطي دو نانوسيم پلاسمونيكي جفت‌شده با حضور اثر كر و جذب دوفوتوني در مد هاي TM00 و TM10

برهم‌كنش غير خطي نانوسيم هاي پلاسمونيكي از موضوعات مهم در مدارات مجتمع اپتيكي است. در اين مقاله به بررسي اثرات جفت‎شدگي غيرخطي براي دو مد TM00 و TM10 در دامنه‎هاي مختلف بر روي دو نانوسيم پلاسمونيكي از جنس نقره در حضور اثر كر و حالتي ديگر كه محيط علاوه بر اثر كر اثر جذب دوفوتوني نيز دارد، مي پردازيم. نتايج نشان مي دهد كه اثرات غيرخطي با حضور اثر جذب دوفوتوني در دامنه‎هاي ورودي خيلي پايين تري نسبت به اثر كر ظاهر مي‎‌‎شود. اثر كر در شدت‌هاي بسيار بالاتري نسبت به اثر جذب دوفوتوني رخ مي دهد و اثرات اپتيكي غيرخطي موجب كاهش جابه‌جايي موج پلاسمونيكي بين دو موجبر نانوسيم مي‎شود. مقادير طول جفت شدگي (Lc) كه اين طول كمترين مسافتي است كه طي آن در محيط جابه‌جايي موج بين دو نانوسيم صد در صد است در مد TM00 كمتر از مد  TM10 است. همچنين نتايح نشان مي دهد كه افزايش شدت در يك طول جفت‌شدگي به ازاي دامنه‌ ميدان‌هاي اوليه مختلف منجر به افزايش راندمان جفت‌شدگي مي‎شود.